Сокращение

Определение

Основные виды памяти

RAM

Random access memory — память с произвольным доступом

SRAM

Static random access memory — энергозависимая статическая память с произвольным доступом, использующая для хранения данных схему с бистабильной фиксацией.

Примечание — Типичная ячейка хранения данных — триггер

DRAM

Dynamic Random Access Memory — тип энергозависимой полупроводниковой памяти с произвольным доступом (RAM), где каждый бит информации хранится в отдельном конденсаторе интегральной схемы, а также ЗУ, наиболее широко используемое в качестве ОЗУ современных компьютеров

FRAM

Ferromagnetic Random Access non-volatile Memory — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память.

Примечание — Тип памяти, принцип работы которого основывается на эффекте гистерезиса в сегнетоэлектрике

3D XPoint (Optane)

3D Cross Point — энергонезависимая память на фазовых переходах, разработанная совместно компаниями Intel и Micron.

Примечание — Для записи информации в ячейках памяти используется изменение сопротивления материала

Модификации и поколения оперативной DRAM-памяти

SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory — разновидность DRAM, синхронная динамическая память с произвольным доступом, позволяющая совместную обработку данных

SGRAM

Synchronous Graphic Random Access Memory — модификация DRAM с синхронным доступом для использования в видеоадаптерах, особенностью которой является использование маскирования при записи блока.

Примечание — Маскирование записи позволяет выбрать данные, которые будут изменены за одну операцию. В видеокартах такой способ (блочная запись) заполнения буфера данными для фонового изображения и изображения на переднем плане обрабатывается более эффективно, чем традиционная последовательность операций чтения, обновления и записи

DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR4 SDRAM, DDR5SDRAM

Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных первого, второго, третьего, четвертого и пятого поколений соответственно

GDDR, GDDR2, GDDR3, GDDR4, GDDR5, GDDR6

Graphics Double Data Rate — Модификация энергозависимой динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и удвоенной скоростью передачи данных (DDR), предназначенная для использования в графических картах (видеокартах) первого и последующих поколений соответственно.

Примечание — GDDR отличается от более широко известных подтипов памяти DDR SDRAM, хотя их основные технологии являются общими, включая удвоенную скорость передачи данных

LPDDR, mDDR, Low Power DDR

Low Power DDR — это модификация памяти DDR SDRAM для мало потребляемых интерфейсов DDR с некоторыми изменениями для снижения энергопотребления, предназначенная специально для мобильных устройств

LPDDR, LPDDR2 LPDDR3, LPDDR4 и LPDDR4X LPDDR5 и LPDDR5X

Модификации LPDDR второго и последующих поколений

VRAM

Video RAM — оперативная память для временного хранения изображения (буфер кадра), сформированного видеоадаптером и передаваемого на видеомонитор.

Примечание — Является двухпортовой памятью — может одновременно записывать данные для изменения изображения в то время, когда видеоадаптер непрерывно считывает содержимое для прорисовки его на экране

WRAM

Window RAM — является схемотехническим развитием памяти VRAM — в этой разновидности памяти добавлены электронные логические схемы, ускоряющие общие видеофункции

MDRAM

Multibank DRAM — многобанковое ОЗУ. Модульная динамическая память для видеоадаптеров, в которой обеспечивается возможность одновременного независимого обращения к различным ее областям. Такая память состоит из набора модулей DRAM, ассортимент которых обычно настолько широк, что можно набрать требуемый объем памяти с минимальным неиспользуемым остатком

Часто используемые форм-факторы модулей памяти

DIMM

Dual In-line Memory Module — двухсторонний модуль памяти, форм-фактор модулей памяти DRAM.

Примечание — Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 168, 184, 240, 288 шт.

SO-DIMM

Small Outline DIMM — модуль памяти уменьшенного размера.

Примечание — Предназначен для использования в портативной цифровой технике. Выпускаются в виде двусторонних модулей памяти с количеством контактов: 144, 200, 204, 260 шт.

Модификации DIMM разных поколений памяти

U-DIMM

Unregistered DRAM — нерегистровая или небуферизованная память (оперативная память, которая не содержит буферов или регистров)

R-DIMM

Registered DIMM или иногда buffered memory — вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти.

Примечание — Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти

LR-DIMM

Load Reduced Dual In-Line Memory Modules (так называемый модуль со сниженной нагрузкой) — относительно новый тип памяти для серверов.

Примечание — Поддерживается процессорами начиная с Intel Xeon Е5 и AMD Opteron 6200 начиная с 2012 г. Модули LR-DIMM очень похожи на «обычные» модули памяти типа Registered DIMM (R-DIMM) и даже используют те же печатные платы и чипы памяти DRAM. Однако принцип работы модулей существенно отличается

FB-DIMM

Fully Buffered DIMM — полностью буферизованная DIMM (вид компьютерной оперативной памяти, модули которой содержат регистр между микросхемами памяти и системным контроллером памяти).

Примечание — Наличие регистров уменьшает электрическую нагрузку на контроллер и позволяет устанавливать больше модулей памяти в одном канале. Стандарт компьютерной памяти, который используется для повышения надежности, скорости и плотности подсистемы памяти

HDIMM или HCDIMM

HyperCloud DIMM — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы